Das Referenzdesign-Portfolio von Transphorm gibt den Startschuss für die Entwicklung von USB-C-PD-GaN-Stromadaptern

Sieben intern und im Rahmen von Partnerschaften entwickelte Entwicklungs-Tools nutzen die Vorteile von Leistungsstarken 650V-GaN-FETs für Adapter von 45W bis 140W

GOLETA, Kalifornien (USA), June 22, 2022--(BUSINESS WIRE)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) – ein Vorreiter und weltweiter Lieferant von hochzuverlässigen, leistungsstarken Galliumnitrid-Stromwandlerprodukten (GaN) – gab heute die Verfügbarkeit von sieben Referenzdesigns bekannt, die die Entwicklung von GaN-basierten USB-C-PD-Stromadaptern beschleunigen sollen. Das Portfolio umfasst eine breite Palette von Open-Frame-Designoptionen mit verschiedenen Topologien, Ausgangsleistungen und Wattzahlen (45 W bis 140 W), aus denen Sie wählen können.

SuperGaN® Technology Difference
Die Referenzdesigns für die Stromadapter verwenden die SuperGaN Gen IV 650V FETs und liefern die einfache Konstruktion, hohe Zuverlässigkeit und hohe Leistung, die zum Synonym für Transphorm-GaN-Bauteile geworden sind. In einer kürzlich erfolgten Analyse zeigte der SuperGaN-FET von Transphorm mit 240 mOhm im Vergleich zu einem E-Mode-GaN-Bauelement mit 175 mOhm einen geringeren Anstieg des Widerstandes bei Temperaturen über 75 °C und eine höhere Leistung bei 50 Prozent und 100 Prozent (voller) Leistung.

Weitere Einzelheiten zum Vergleich zwischen den beiden GaN-Lösungen finden Sie hier.

Power Adapter Referenzdesigns
Das Portfolio von Transphorm umfasst fünf Open-Frame-USB-C-PD-Referenzdesigns mit einer Frequenz von 140 bis 300 kHz. So entwickelte Transphorm beispielsweise in Zusammenarbeit mit Silanna Semiconductor ein 65W-Active Clamp Flyback-RD (ACF), das bei 140 kHz läuft und einen Spitzenwirkungsgrad von 94,5 Prozent aufweist.

  • (1x) 45W-Adapter-RD bietet 24 W/in3 Leistungsdichte in einer quasi-resonanten Flyback-Topologie (QRF)

  • (3x) 65W-Adapter-RDs bieten 30 W/in3 Leistungsdichte in ACF- oder QRF-Topologien

  • (1x) 100W-Adapter-RD bietet 18 W/in3 Leistungsdichte in einer Leistungsfaktor-Korrektur (PFC)+QRF-Topologie

Das Portfolio von Transphorm umfasst außerdem zwei Open Frame USB-C PD/PPS-Referenzdesigns mit einer Frequenz von 110 bis 140 kHz. Für beide Lösungen hat Transphorm mit Diodes Inc. zusammengearbeitet und den ACF-Controller des Unternehmens eingesetzt, um einen Spitzenwirkungsgrad von über 93,5 Prozent zu erreichen.

  • (1x) 65W-Adapter-RD bietet 29 W/in3 Leistungsdichte in einer ACF-Topologie

  • (1x) 140W-Adapter-RD bietet 20 W/in3 Leistungsdichte in einer PFC+ACF-Topologie

„Transphorm ist insofern einzigartig, als es das einzige Portfolio von GaN-FETs anbietet, das den größten Leistungsbereich für die unterschiedlichsten Anwendungen abdeckt", sagte Tushar Dhayagude, VP, Field Applications & Technical Sales, Transphorm. „Unsere Referenzdesigns für Stromadapter zeigen unsere Fähigkeiten im Bereich der geringen Leistungsaufnahme. Wir bieten controllerunabhängige PQFN- und TO-220-Bauteile an, die das Design drastisch vereinfachen können. Diese und andere Eigenschaften ermöglichen es unseren Kunden, schnell und einfach eine GaN-Lösung auf den Markt zu bringen, die eine wegweisende Leistungseffizienz aufweist. Das ist es, worum es bei GaN von Transphorm geht."

Das aktuelle Referenzdesign-Portfolio für Stromadapter finden Sie hier.

Über Transphorm
Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen im Bereich der GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Stromwandlungsanwendungen. Mit einem der größten Portfolios an geistigem Eigentum im Bereich Energie-GaN von mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-zertifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauelemente. Das vertikal integrierte Geräte-Geschäftsmodell des Unternehmens ermöglicht Innovation in jeder Entwicklungsphase: Design, Herstellung, Geräte- und Anwendungssupport. Die Innovationen von Transphorm führen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, 40 % mehr Energiedichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, Kalifornien, und verfügt über Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere Informationen finden Sie auf www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auf Twitter @transphormusa und WeChat @ Transphorm_GaN.

Die Ausgangssprache, in der der Originaltext veröffentlicht wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen werden zur besseren Verständigung mitgeliefert. Nur die Sprachversion, die im Original veröffentlicht wurde, ist rechtsgültig. Gleichen Sie deshalb Übersetzungen mit der originalen Sprachversion der Veröffentlichung ab.

Originalversion auf businesswire.com ansehen: https://www.businesswire.com/news/home/20220622005260/de/

Contacts

Ansprechpartnerin Presse:
Heather Ailara
211 Communications
+1.973.567.6040
heather@211comms.com

Wir möchten einen sicheren und ansprechenden Ort für Nutzer schaffen, an dem sie sich über ihre Interessen und Hobbys austauschen können. Zur Verbesserung der Community-Erfahrung deaktivieren wir vorübergehend das Kommentieren von Artikeln.