Im Dezember 2021 liefert Transphorm über eine Million GaN-Bauteile für Schnellladegeräte und Stromadapter aus

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Zeigt die hohe Leistungsfähigkeit des Unternehmens und seine anhaltende Führungsposition bei Hochleistungsprodukten mit mehreren Kilowatt Leistung

GOLETA, Kalifornien (USA), January 13, 2022--(BUSINESS WIRE)--Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN) – ein Pionier und weltweiter Anbieter von hochzuverlässigen, leistungsstarken Galliumnitrid-Leistungswandlern (GaN) – verkündete heute, dass das Unternehmen im Dezember 2021 mehr als eine Million SuperGaN® Gen IV FETs ausgeliefert hat. Dieser Meilenstein unterstreicht die Fähigkeit des Unternehmens, hohe Volumenkapazitäten an qualifizierten abgepackten Bauelementen zu erfüllen, sowie seinen wachsenden Marktanteil. Er kennzeichnet auch einen über dreifachen Anstieg der ausgelieferten Einheiten in der 2. Hälfte von CY2021 gegenüber der 1. Hälfte von CY2021. Bemerkenswert ist die Tatsache, dass die ausgelieferten FETs in Netzteilen und Schnellladegeräten mit einer Leistung von 45 W bis 300 W zum Einsatz kommen, die von neuen und Bestandskunden in der APAC-Region hergestellt werden, was die kontinuierliche Expansion des Ökosystems von Transphorm verdeutlicht.

Aktuell umfasst Transphorms SuperGaN-Produktfamilie für kompakte Leistungswandlungs-Applikationen drei 650-V-Bauelemente: 480 mΩ FETs, 300 mΩ FETs und 150 mΩ FETs. Diese Bauelemente sind in den Standard-PQFN-Gehäusen 5x6 und 8x8 erhältlich und erfüllen die JEDEC-Qualifikationsstandards bei 150°C.

Die wichtigsten Vorteile der SuperGaN-Bauelemente im Vergleich zu alternativen GaN-Halbleitern (d. h. e-mode und IC-GaN) sind unter anderem:

  • Herausragende Leistung bei kleinerer Chipgröße: Die Daten verdeutlichen, dass die SuperGaN-Plattform gegenüber Bauelementen mit geringerem On-Widerstand eine höhere Effizienz bietet.

  • Einfache Designbarkeit und Ansteuerbarkeit: Die patentierte Architektur der SuperGaN-Plattform beinhaltet einen integrierten Silizium-FET mit Universalschnittstelle und erfordert keine übermäßigen Mengen an peripheren Schaltungen. Diese Schnittstelle macht den Einsatz gängiger, handelsüblicher Controller mit integrierten Treibern möglich; eine Bedingung für hocheffiziente Netzteiltopologien wie QRF (Quasi Resonant Flyback) und ACF (Active Clamp Flyback).

  • Erstklassige Qualität und Zuverlässigkeit: Basierend auf mehr als 30 Milliarden Betriebsstunden erzielen Transphorm-Geräte im Feld eine FIT-Rate (Failure in Time) von < 0,3, d. h. statistisch gesehen weniger als 0,3 Ausfälle in einer Milliarde Betriebsstunden im Feld.

„Wir freuen uns sehr, dass wir zusammen mit unseren Lieferanten und Kunden unser angestrebtes Produktionsziel von monatlich einer Million Einheiten erreicht haben. Dies unterstreicht unseren steigenden Marktanteil im schnell wachsenden Segment der Schnellladegeräte und Netzteile sowie unsere Fähigkeit, GaN-Bauelemente mit hoher Leistung und Zuverlässigkeit in großem Maßstab zu reproduzieren", sagte Primit Parikh, President und Co-Founder von Transphorm. „Transphorms Erfolg sowohl bei Anwendungen mit geringerem Stromverbrauch als auch bei Hochleistungsanwendungen mit mehreren Kilowatt unterstreicht die führende Stellung unserer Technologie. Zusammen mit den jüngsten Kapitalerhöhungen von über 45 Millionen USD im letzten Quartal ist dies ein starkes, positives Momentum für unsere weitere Expansion und unser Wachstum im Jahr 2022."

Zurzeit umfasst das gesamte Produktportfolio von Transphorm 650-V- und 900-V-Bauelemente in verschiedenen Gehäusen. Die technologischen Vorteile des Portfolios resultieren größtenteils aus der vertikalen Integration des Unternehmens. Dieses Betriebsmodell, das in der GaN-Halbleiterindustrie nicht üblich ist, macht es Transphorm möglich, das Design, den Epitaxie-Wafer (Ausgangsmaterial) und den Herstellungsprozess seiner Bauelemente zu kontrollieren. Daher unterstützt Transphorm heute die größte Bandbreite an Leistungsumwandlungsanforderungen (45 W bis 10+ kW) in den unterschiedlichsten Stromversorgungsanwendungen (Stromadapter, Netzteile für Rechenzentren und Spiele, Krypto-Mining-Rigs, Kfz-Wandler, Wechselrichter für erneuerbare Energien und andere).

Über Transphorm

Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen im Bereich der GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Stromwandlungsanwendungen. Mit einem der größten Portfolios an geistigem Eigentum im Bereich Energie-GaN von mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-zertifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauelemente. Das vertikal integrierte Geräte-Geschäftsmodell des Unternehmens ermöglicht Innovation in jeder Entwicklungsphase: Design, Herstellung, Geräte- und Anwendungssupport. Die Innovationen von Transphorm führen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, 40 % mehr Energiedichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, Kalifornien, und verfügt über Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere Informationen finden Sie auf www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auf Twitter @transphormusa und WeChat @ Transphorm_GaN.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Diese Pressemitteilung enthält zukunftsgerichtete Aussagen (auch im Sinne von Abschnitt 21E des United States Securities Exchange Act von 1934 in seiner geänderten Fassung und Abschnitt 27A des United States Securities Act von 1933 in seiner geänderten Fassung), die die Marktlage des Unternehmens, Erwartungen hinsichtlich des voraussichtlichen künftigen Wachstums und Pläne für die Notierung an der Nasdaq betreffen. Zukunftsgerichtete Aussagen beinhalten im Allgemeinen Aussagen, die vorausschauender Natur sind und von zukünftigen Ereignissen oder Bedingungen abhängen oder sich auf diese beziehen, und beinhalten Wörter wie „können", „werden", „sollten", „würden", „erwarten", „planen", „glauben", „beabsichtigen", „vorausschauend" und andere ähnliche Ausdrücke sowie andere. Aussagen, die keine historischen Fakten darstellen, sind zukunftsgerichtete Aussagen. Zukunftsgerichtete Aussagen basieren auf aktuellen Einschätzungen und Annahmen, die Risiken und Ungewissheiten unterliegen und keine Garantie für zukünftige Leistungen darstellen. Die tatsächlichen Ergebnisse können sich aufgrund verschiedener Faktoren erheblich von den in zukunftsgerichteten Aussagen gemachten Angaben unterscheiden, einschließlich, aber nicht beschränkt auf: Risiken im Zusammenhang mit der Geschäftstätigkeit von Transphorm, wie z. B. zusätzlicher Finanzierungsbedarf und Zugang zu Kapital; Wettbewerb; die Fähigkeit von Transphorm, seine geistigen Eigentumsrechte zu schützen; und andere Risiken, die in den bei der Börsenaufsichtsbehörde eingereichten Unterlagen des Unternehmens dargelegt sind. Sofern dies nicht durch geltendes Recht vorgeschrieben ist, übernimmt das Unternehmen keine Verpflichtung, zukunftsgerichtete Aussagen zu revidieren oder zu aktualisieren oder andere zukunftsgerichtete Aussagen zu tätigen, sei es aufgrund neuer Informationen, zukünftiger Ereignisse oder aus anderen Gründen.

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